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SI7415DN-T1中文资料

SI7415DN-T1图片

SI7415DN-T1外观图

  • 大小:65.3KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述:
  • 制造商:Vishay
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:60 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
  • 漏极连续电流:3.6 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):65 mOhms
  • 配置:Single
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:PowerPAK 1212-8
  • 封装:Reel
  • 下降时间:12 ns
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:1.5 W
  • 上升时间:12 ns
  • 工厂包装数量:3000
  • 商标名:TrenchFET/PowerPAK
  • 典型关闭延迟时间:22 ns

SI7415DN-T1供应商

更新时间:2023-01-09 16:51:55
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