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SI7415DN-T1中文资料

SI7415DN-T1图片

SI7415DN-T1外观图

  • 大小：65.3KB
  • 厂家：Vishay
  • 描述：
  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：60 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：3.6 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：65 mOhms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：PowerPAK 1212-8
  • 封装：Reel
  • 下降时间：12 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1.5 W
  • 上升时间：12 ns
  • 工厂包装数量：3000
  • 商标名：TrenchFET/PowerPAK
  • 典型关闭延迟时间：22 ns

SI7415DN-T1供应商

更新时间:2023-01-09 16:51:55
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SN74F126DRSTPS1L30AS-24CS02AFJ-TB-GESI1026X-T1SN74CBT3257CDBQRSN74LVC125APWRSN65LVDS31DRSTV9586ASM6T200CASI4412DY-T1

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